规格书 |
IPD35N10S3L-26 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 35A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 24 mOhm @ 35A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.4V @ 39µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 39nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2700pF @ 25V |
功率 - 最大 | 71W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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